三星将继续投资其平泽园区的P4产线，将该设施从晶圆代工转换为1c DRAM生产。最新月产能估计为80000片晶圆。此外，先前推迟的P2产线预计将在2026年作为晶圆代工产线恢复投资。

据报道，三星将从2025年11月开始正式启动平泽工厂P4洁净室的建设。P4的建设在2024年中期暂停，但在2025年第三季度恢复了投资，现在将开始设备安装。P4最初被指定为晶圆代工产线，但最新计划是引入1c DRAM工艺技术。

P4是三星在韩国平泽建设的第四座大型半导体工厂，由四个阶段组成。P1目前是NAND闪存和DRAM的混合工厂，而P3正处于完工的最后阶段。

此前市场预测，三星从2026年上半年开始，每月可确保约60000片1c DRAM新产能。然而，最新信息显示，该公司现在计划将P4的1c DRAM月产能扩大到80000片晶圆。

韩国报道还显示，三星的1c DRAM已经满足了英伟达(Nvidia)的性能要求。三星预计将完成最终客户样本的内部可靠性测试(PRA)，并将其发送给英伟达进行GPU集成验证。如果一切按计划进行，预计产品将在2026年下半年开始出货。

P2产线的计划尚未最终确定，但已被讨论定位为专用晶圆代工空间，并可能在2026年中期开始投资。

三星的晶圆代工部门已经确保了使用2nm工艺的Exynos 2600移动应用处理器(AP)的内部生产，并计划使用4nm和其他节点承接来自韩国无晶圆厂IC设计公司的AI半导体芯片订单。

晶圆代工订单疲软、产能利用率低以及HBM竞争力下降，导致了P2和P4建设的投资延迟，这些产线原计划于2024年底完成。然而，三星通过在2024年底重新设计其HBM和DRAM产品以提高竞争力，实现了反弹。AI基础设施投资带来的需求增长也帮助恢复了平泽园区的投资势头。

三星采用1c DRAM已显着缩小了与SK海力士(SK Hynix)的技术差距。SK海力士和三星2026年的DRAM和NAND闪存产能均已售罄。英伟达最近承认三星为核心合作伙伴，分析师预计其HBM出货量将在2026年至少增长2.5倍。

三星平泽园区的建设在战略上与英伟达的Rubin计划保持一致。在HBM3E时代失去领先地位后，三星计划在HBM4的速度、效率和堆叠稳定性方面重新获得竞争优势。除P4工厂外，三星正考虑将其华城和器兴工厂的部分设施转换为与HBM兼容的1c工艺。

目标2027年，三星晶圆代工将实现盈利

据报道，三星电子已确立 2027 年实现晶圆代工业务实现盈利的经营目标，其中特斯拉等大型科技企业的订单以及美国泰勒工厂将成为核心驱动力。曾是三星半导体 “短板” 的晶圆代工业务能否成为新的增长引擎，备受关注。

三星电子将晶圆代工业务部将盈利转折点设定在2027年，目前三星电子已向合作企业分享了这一时间节点，并商议了未来的投资方案。熟悉该事项的高层人士透露：“三星不仅公布了2027年内实现盈亏平衡的经营目标，还共享了未来主要材料及零部件的需求展望。”

另一位知情人士透露：“据悉三星还设定了2027年销售额实现20%市场份额的目标。”

三星电子的晶圆代工业务自2022年以来一直处于亏损状态，业内人士预计每季度亏损额在1~2万亿韩元水平，相较于存储芯片业务随市场行情有起有伏，晶圆代工更像是整体业务中的一个“无底洞”。而造成这一状况的核心原因在于公司在尖端工艺研发投入了巨额资金，但是却未能拿下大额订单。

针对三星电子将2027年设定为盈利节点，业内认为这是其对市场机遇的判断以及对自身技术实力的信心体现。今年，三星电子斩获了特斯拉、苹果等北美大型科技企业的半导体代工订单。同时，以4纳米、5纳米、8纳米等良率稳定的工艺为核心，AI及HPC芯片的订单量正不断扩大，一改此前因良率不足而难以获客的局面。

三星电子在第三季度业绩说明会上表示：“以2纳米大型客户订单为核心的尖端工艺业务创下历史最高接单业绩，亏损也大幅减少。” 据悉，今年第三季度三星晶圆代工业务的亏损规模已降至1万亿韩元以下。

此外，美国奥斯汀工厂的开工率持续提升，为盈利改善做出了贡献。该工厂负责 14 纳米至65纳米等成熟工艺的生产，近期成功获得了高通等客户。

而美国泰勒工厂已经吸引了特斯拉、苹果等大型科技企业，有望通过提前投产实现收益最大化。三星电子计划明年启用泰勒工厂，目前正一边推进工厂建设，一边加快设备进场速度。预计最迟在第二季度完成设备搭建，并于第三季度正式投产。此外，三星电子还在筹备泰勒工厂的第二阶段建设，规模远超第一阶段，现在正与合作企业协商相关投资及材料、零部件需求，以争取快速投产。

业界人士分析：“三星电子在恢复存储芯片竞争力后，正谋求在晶圆代工、SoC等非存储领域实现反弹，而晶圆代工业务能否复苏，将取决于下一代工艺技术的研发进展及良率的稳定情况。

想要获取半导体产业的前沿洞见、技术速递、趋势解析，关注我们！